SI4435DDY-T1-GE3_SOP-8_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOP-8 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/9.0A 參數(shù)4：RDON/18.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SI4435DDY-T1-GE3 型號(hào)MOS管采用高效P溝道工藝，封裝于小巧的SOP-8封裝中，專為高集成度電路設(shè)計(jì)。在30V額定電壓VDSS下，該器件可輕松應(yīng)對(duì)9A的連續(xù)漏極電流ID，且擁有出色的18mR導(dǎo)通電阻RD(on)，實(shí)現(xiàn)卓越的能效和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等眾多場(chǎng)景，是優(yōu)化系統(tǒng)性能和節(jié)能減排的理想半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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