FDN359AN_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.0A 參數4：RDON/29.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
FDN359AN 是一款高性能N溝道MOSFET，采用經濟型SOT-23封裝，特別適用于緊湊空間的電路設計。器件擁有30V的最大漏源電壓(VDSS)，能持續輸出4A的漏極電流(ID)，以滿足不同功率需求。其引人注目的特點是導通電阻(RD(on))低至29mΩ，確保在運行過程中顯著降低功耗，提升系統能效。FDN359AN MOS管廣泛應用于電源轉換、電機驅動、電池管理系統等領域，是追求高效節能解決方案的理想之選。
