PMV45EN2R_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/4.0A 參數(shù)4：RDON/29.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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PMV45EN2R 是一款高性能N溝道MOS管，選用緊湊型SOT-23封裝，尤其適合對空間利用有嚴(yán)格要求的電路設(shè)計(jì)。其核心技術(shù)指標(biāo)包括最高30V的漏源極擊穿電壓(VDSS)，以及4A的連續(xù)漏極電流(ID)，彰顯出強(qiáng)大的電流處理性能。更值得關(guān)注的是，該器件具有優(yōu)越的導(dǎo)通電阻(RD(on))僅為29mΩ，旨在最大程度地減少功率損耗，提高系統(tǒng)效能。這款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換器、充電器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等需高效能、低阻抗元件的電子產(chǎn)品中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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