Si2307CDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/4.1A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2307CDS-T1-GE3 是一款P溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效能電子設計。該器件工作電壓VDSS高達30V，可承載4.1A連續電流，且擁有低至48mR的導通電阻，有效提高系統能效，降低能耗。適用于電源開關控制、電池保護和各類中等電流負載驅動應用，是工程師設計高集成度、低功耗方案的理想半導體元件。
