Si2302DDS-T1-GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
Si2302DDS-T1-GE3 型號MOS管采用緊湊型SOT-23封裝，內含尖端N溝道技術，專為優化電路性能設計。器件支持20V的漏源電壓(VDSS)，可穩定處理2.3A的連續漏極電流(ID)，適用各類中小功率應用。其導通電阻僅為48mR(RD(on))，確保了低功耗和高效率運作。廣泛應用于電源管理、負載開關及低壓電子設備的開關控制，是提升產品能效比和可靠性的重要半導體組件。
