FDN5618P_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/2.0A 參數(shù)4：RDON/160.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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FDN5618P 是一款P溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，適用于空間有限的設(shè)計(jì)項(xiàng)目。該器件提供高達(dá)60V的漏源電壓(VDSS)，能夠支持2A的連續(xù)漏極電流(ID)，并且具備160mΩ的導(dǎo)通電阻(RD(on))，在低電壓應(yīng)用中展現(xiàn)卓越性能。廣泛應(yīng)用于電源開關(guān)、負(fù)載切換、邏輯電平轉(zhuǎn)換等功能模塊，是您構(gòu)建高效、可靠電路的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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