MVGSF1N02L_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/2.3A 參數4：RDON/48.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
MVGSF1N02L N溝道MOSFET采用節省空間的SOT-23-3L封裝，特別適用于緊湊型電路設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達2.3A的連續漏極電流(ID)，并且在導通狀態下呈現出僅為48mR的低導通電阻(RD(on))，從而保證了高效的電能轉化和較低的功率損耗。這款MOS管廣泛運用于開關電源、電機驅動、智能設備等多種領域，是優化系統性能和節能減排的理想半導體元件。
