SQ2310ES-T1_GE3_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/20.0V 參數3：ID/6.0A 參數4：RDON/22.0mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SQ2310ES-T1_GE3 是一款高效N溝道MOSFET，采用小型SOT-23封裝，專為高功率密度和低功耗電子設計。該器件具有20V的最大漏源電壓(VDSS)，并能穩定處理6A的連續漏極電流(ID)，搭配其出色的22mΩ導通電阻(RD(on))，確保了卓越的電能轉換效率和低功耗性能。廣泛應用于電源管理、電機驅動、電池保護系統等領域，是實現小型化、高性能電子解決方案的理想半導體組件。
