DMN2075U_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/3.0A 參數(shù)4：RDON/23.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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DMN2075U 是一款高性能N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，專為高效率和小型化電子設(shè)計(jì)。該器件擁有20V的最大漏源電壓(VDSS)，能夠承載3A的連續(xù)漏極電流(ID)，并以其出色的23mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))確保了卓越的能效和低功耗表現(xiàn)。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)等領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)高效、節(jié)能電子解決方案的精選半導(dǎo)體元件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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