ZXMN3B01F_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/5.0A 參數(shù)4：RDON/33.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
ZXMN3B01F 是一款N溝道MOSFET，采用緊湊型SOT-23封裝，旨在優(yōu)化空間占用并保持高性能。該器件支持30V的漏源電壓(VDSS)，具備5A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在高功率應(yīng)用中的穩(wěn)定性。其導通電阻(RD(on))僅為33mΩ，有助于大幅度提高系統(tǒng)效率，降低能耗。此款MOS管廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、負載開關(guān)等場景，是追求效能與小型化的絕佳半導體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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