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SI7615CDN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:P溝道 參數(shù)2:VDSS/20.0V 參數(shù)3:ID/48.0A 參數(shù)4:RDON/7.5mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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SI7615CDN-T1-GE3 P溝道MOS管,采用緊湊型DFN3X3-8L封裝設(shè)計(jì),旨在優(yōu)化電路布局并增強(qiáng)散熱性能。器件具備20V的額定電壓VDSS和高達(dá)48A的連續(xù)漏極電流ID,確保在大電流環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)作。其導(dǎo)通電阻RD(on)低至7.5mΩ,有效降低傳導(dǎo)損耗,提升整體工作效率,特別適用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)等對(duì)能效要求高的場(chǎng)景。SI7615CDN-T1-GE3 MOS管,憑借其出色的電流承載能力和低阻特性,成為現(xiàn)代高效能電子設(shè)備的優(yōu)選半導(dǎo)體元件。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:連先生
  • 聯(lián)系電話:13823583904
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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