SI7423DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/40.0A 參數(shù)4：RDON/13.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
為您精選SI7423DN-T1-E3 P溝道MOSFET，采用緊湊型DFN3X3-8L封裝，專為現(xiàn)代高性能電子設(shè)備設(shè)計，力求空間利用率和熱性能的最佳平衡。本器件關(guān)鍵特性包括最高擊穿電壓VDSS達到30V，可穩(wěn)定承載40A連續(xù)電流，尤其突出的是僅有13mΩ的超低導(dǎo)通電阻，確保高效能、低功耗運行。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、馬達驅(qū)動以及各種電流控制場合，助您輕松實現(xiàn)電路設(shè)計優(yōu)化與性能升級。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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