SI7106DN-T1-E3_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/20.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/4.0mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SI7106DN-T1-E3 MOS管是一款高性能N溝道半導(dǎo)體器件，采用小型化DFN3X3-8L封裝技術(shù)，具有強(qiáng)大的電力處理能力。其特點(diǎn)是20V的VDSS耐壓值，以及驚人的60A持續(xù)電流ID，尤其引人注目的是其超低導(dǎo)通電阻僅4mR，有效降低損耗，提升整體效能。這款MOS管非常適合應(yīng)用于要求嚴(yán)苛的電源轉(zhuǎn)換、大電流開關(guān)控制等場(chǎng)景，為您帶來前所未有的能效體驗(yàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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