SIS412DN-T1-GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SIS412DN-T1-GE3 MOS管，以緊湊型DFN3X3-8L封裝提供卓越性能。該器件為N溝道設(shè)計，擁有30V的穩(wěn)定工作電壓VDSS及出色的20A電流承載能力，其導(dǎo)通電阻低至15mR，確保了在高功率轉(zhuǎn)換中的優(yōu)異效率表現(xiàn)。適用于各類高端電源控制、馬達(dá)驅(qū)動等領(lǐng)域，是您實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化的理想半導(dǎo)體解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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