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AON3414_DFN3X3-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)

品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000圓盤 參數(shù)1:N溝道 參數(shù)2:VDSS/30.0V 參數(shù)3:ID/20.0A 參數(shù)4:RDON/15.0mR 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢

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產(chǎn)品介紹

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AON3414 是一款采用先進(jìn)DFN3X3-8L封裝的N溝道MOSFET,具有卓越的空間利用率和散熱性能。在30V的最大漏源電壓(VDSS)下,可實(shí)現(xiàn)高達(dá)20A的連續(xù)漏極電流(ID),尤其適用于需要大電流處理能力的場(chǎng)合。其優(yōu)異的15mΩ導(dǎo)通電阻,確保了系統(tǒng)運(yùn)行的高效低耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電池管理系統(tǒng)以及其他需要高性能MOSFET的領(lǐng)域。



企業(yè)聯(lián)系方式
  • 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
  • 高新企業(yè)

  • 聯(lián) 系 人:張婉儀
  • 聯(lián)系電話:18929373249
  • 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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