SUD45P03-09-GE3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/70.0A 參數(shù)4：RDON/8.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
SUD45P03-09-GE3 是一款P溝道MOS管，采用高效散熱的TO-252-2L封裝，適用于大電流應(yīng)用環(huán)境。該器件支持高達30V的漏源電壓(VDSS)，并能安全處理70A的連續(xù)電流，體現(xiàn)出卓越的電力傳輸能力。其引人注目的特點是僅8mR的導(dǎo)通電阻(RD(on))，有效提升系統(tǒng)能效，減少功率損耗，是電源開關(guān)、電機驅(qū)動和高功率電子設(shè)備的理想組件選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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