SQD19P06-60L_GE3_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：P溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/30.0A 參數(shù)4：RDON/48.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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SQD19P06-60L_GE3 P溝道MOS管，采用TO-252-2L封裝，專為緊湊型、高效率電源設(shè)計。該器件提供60V的峰值漏源電壓(VDSS)，并支持高達(dá)30A的連續(xù)漏極電流(ID)，確保在中高壓環(huán)境下穩(wěn)定工作。其導(dǎo)通電阻RD(on)為48mΩ，雖然不是最低，但兼顧了性能與成本，適合應(yīng)用于負(fù)載開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換、低壓電機(jī)驅(qū)動等領(lǐng)域，是尋求可靠性和性價比平衡方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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