DMN3009SK3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/150.0A 參數4：RDON/2.0mR 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
DMN3009SK3 N溝道MOS管采用緊湊型TO-252-2L封裝，專為高功率密度及空間受限的設計需求打造。此器件配備30V的最大漏源電壓(VDSS)，可承載高達150A的連續漏極電流(ID)，充分展示了其卓越的電力處理能力。尤為突出的是其業界領先的2mΩ導通電阻(RD(on))，顯著降低傳導損耗，大幅提升系統能效，是追求極致性能與節能效果的理想半導體組件。
