AOD508_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/150.0A 參數(shù)4：RDON/2.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
AOD508 N溝道MOS管采用高效封裝TO-252-2L，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的小型化和高性能需求量身定制。該器件具有30V的最大漏源耐壓(VDSS)，能夠穩(wěn)定承載高達150A的連續(xù)漏極電流(ID)，凸顯出卓越的電流處理性能。其核心亮點在于僅為2mΩ的超低導(dǎo)通電阻RD(on)，有效減少了能量損失，提升了整體系統(tǒng)能效。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等多個領(lǐng)域，是追求高效、節(jié)能方案的不二之選。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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