STD60NF06T4_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/15.0mR 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
STD60NF06T4 是一款高性能N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，適配廣泛電路設(shè)計需求。該器件具有60V的最大漏源電壓(VDSS)，能承載高達50A的連續(xù)漏極電流(ID)，并展現(xiàn)出極低的15mΩ導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流操作下仍保持高效率、低損耗。這款MOS管適用于各類高功率應(yīng)用場景，如電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、逆變器等，為您的設(shè)備提供強勁、穩(wěn)定的電流控制解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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