FDD6635_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/40.0V 參數(shù)3：ID/60.0A 參數(shù)4：RDON/7.7mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDD6635 是一款強(qiáng)大高效的N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，專為處理高電流應(yīng)用而設(shè)計。這款器件擁有40V的高額定電壓VDSS，能穩(wěn)定承載60A的連續(xù)電流ID，充分體現(xiàn)了其卓越的電力傳輸性能。尤其引人注目的是，其導(dǎo)通電阻RD(on)僅為7.7mΩ，從而大幅降低能耗并提升系統(tǒng)效率。FDD6635 是適用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動等高要求場景的理想半導(dǎo)體解決方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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