MTD3055V_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/20.0A 參數(shù)4：RDON/27.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
MTD3055V 是一款N溝道MOSFET，采用TO-252-2L封裝，具有出色的散熱性能和空間利用率。在60V的最大漏源電壓(VDSS)下，可承載高達20A的連續(xù)漏極電流(ID)，適用于高功率、大電流應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻僅為27mΩ，有助于提升系統(tǒng)整體能效并減少功耗。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等領(lǐng)域，是實現(xiàn)高效、節(jié)能電子設(shè)備設(shè)計的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：連先生
- 聯(lián)系電話：13823583904
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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