AOD21357_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：P溝道 參數2：VDSS/30.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
AOD21357 P溝道MOS管采用標準TO-252-2L封裝，具有優良的散熱性能與廣泛的適用性。器件工作電壓VDSS高達30V，可承載80A的強勁連續漏極電流ID，充分展現其強大的電流處理能力。特別值得關注的是，其內部導通電阻RD(on)僅為6.5mΩ，這使得它在運行過程中能夠顯著減少功率損耗，提高系統能效。AOD21357 MOS管適用于各類高壓大電流應用領域，如電源轉換、電機驅動等，是高效率、低功耗半導體解決方案的理想選擇。
