STN8882D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/100.0A 參數(shù)4：RDON/3.8mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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STN8882D 是一款高性能N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為大電流、低阻抗應(yīng)用研發(fā)。器件支持30V的漏源電壓(VDSS)，并能在極為優(yōu)異的3.8mR導(dǎo)通電阻(RD(on))下，承載高達(dá)100A的漏極電流(ID)。廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等場景，憑借其卓越的電流承載能力和高效能表現(xiàn)，成為優(yōu)化系統(tǒng)性能、降低能耗的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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