SQD50N06-09L_GE3_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數1：N溝道 參數2：VDSS/60.0V 參數3：ID/80.0A 參數4：RDON/6.5mR 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
SQD50N06-09L_GE3 是一款高性能N溝道MOSFET，封裝采用緊湊型TO-252-2L，旨在優化電路板空間利用。該器件具有強勁的工作電壓60V(VDSS)，可持續提供高達80A的漏極電流(ID)，同時以極低的導通電阻6.5mΩ(RD(on))表現出色，從而有效減少能量損失，提升整體電能轉化效率。SQD50N06-09L_GE3 適用于開關電源、馬達驅動控制等多個領域，是構建高效率、低功耗電子系統的可靠之選。
