IRLR3705ZPBF_TO-252-2L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/6.5mR 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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IRLR3705ZPBF 是一款N溝道MOSFET，采用標(biāo)準(zhǔn)TO-252-2L封裝，專為高功率電子設(shè)備設(shè)計(jì)。器件支持高達(dá)60V的漏源電壓(VDSS)，并能承載最大80A的連續(xù)漏極電流(ID)，展現(xiàn)出卓越的電流承載能力。其亮點(diǎn)在于僅6.5mΩ的低導(dǎo)通電阻(RD(on))，確保在大電流工作時(shí)仍能保持高效率和低發(fā)熱。廣泛應(yīng)用于電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池管理系統(tǒng)等領(lǐng)域，是構(gòu)建高性能、節(jié)能電路的理想半導(dǎo)體組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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