FDD8896_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/30.0V 參數(shù)3：ID/80.0A 參數(shù)4：RDON/5.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
FDD8896 是一款高性能N溝道MOS管，采用經(jīng)典的TO-252-2L封裝形式，結(jié)構(gòu)緊湊且易于安裝。該器件擁有30V的最大漏源電壓VDSS，以及高達80A的連續(xù)漏極電流ID，展現(xiàn)了其在高電流環(huán)境下的出色承載能力。其顯著特點是擁有極低的導(dǎo)通電阻RD(on)僅為5.5mΩ，確保在大電流切換時降低損耗，提升整體能效。FDD8896 MOS管適用于電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動等高功率應(yīng)用場合，以卓越性能滿足各種電子產(chǎn)品的設(shè)計需求。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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