STN2610D_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500圓盤 參數(shù)1：N溝道 參數(shù)2：VDSS/60.0V 參數(shù)3：ID/50.0A 參數(shù)4：RDON/11.0mR 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
STN2610D 是一款高品質(zhì)N溝道MOSFET，封裝形式為TO-252-2L，適合于各種空間緊湊的設(shè)計需求。該器件具有出色的電氣性能，最大漏源電壓VDSS達60V，連續(xù)漏極電流ID高達50A，展現(xiàn)出強大的電力處理能力。尤其突出的是其低至11mR的導(dǎo)通電阻RD(on)，有助于減少功率損耗并優(yōu)化能源效率，廣泛適用于開關(guān)電源轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、LED照明等領(lǐng)域，是您高效能電子設(shè)計的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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