MOS管失效機理與防護設計：從案例分析到工程實踐
工程師在設計電源轉換、電機驅動或負載開關電路時，最常遇到的突發故障可能是MOS管的突然失效。沒有明顯的前期征兆，卻讓整個電路停擺，甚至影響產品批量良率。近期，我們的FAE團隊協助客戶解決了一起SOT-23封裝的AO3400型號MOS管擊穿失效的案例，過程中梳理出MOS管最常見的失效原因，以及如何從原理層面規避這些問題。
-
-
-
-
合科泰新推出TOLL4封裝MOS管：12V/24V高電流系統的性能解決方案
在如BMS、電機控制、負載開關的12V/24V電源系統中，高電流容量、低損耗與可靠性是核心需求，合科泰新推出的HKTS190N03與HKTS190N04的TOLL4封裝MOS管，正是針對這類場景的高性能解決方案。兩款產品均采用TOLL4-6R封裝，連續漏極電流達190A，覆蓋30V/20V電壓等級，通過工藝與參數的差異化設計，滿足不同應用的電路需求。 -
MDD MOSFET故障的快速定位與修復方法（通用電路篇）
在各類電源、電機驅動及控制電路中，MDD辰達半導體 MOSFET 是最常見的功率器件之一。由于其工作頻率高、電流大、溫升快，一旦出現故障，往往會造成系統停機甚至連帶燒毀其他元件。作為MDD FAE，如何快速定位問題、判斷失效類型并指導客戶恢復，是關鍵技能。 -
合科泰新推出ESOP-8封裝MOS管適配高速風筒
高速風筒作為高頻使用的家電產品，其電源電路、電機驅動電路及輔助回路對MOS管的性能要求差異顯著。合科泰針對高速風筒的電路特性，推出5N50ER慢恢復MOS管與5N50ES快恢復MOS管，通過針對性的性能設計，實現不同電路場景下的精準適配，平衡性能與成本。合科泰借針對性的性能設計，精準匹配高速風筒不同電路的需求，為工程師提供靈活的選擇方案。 -
MDD MOS導通電阻對BMS系統效率與精度的影響
在電池管理系統（BMS）中，MDD辰達半導體 MOSFET 作為電池組充放電的開關與保護核心元件，其導通電阻（R<sub>DS(on)</sub>）參數對系統性能有著直接且深遠的影響。作為MDD FAE，在支持客戶調試或可靠性驗證過程中，經常遇到因導通電阻選型不當導致效率降低、采樣偏差或誤動作的問題。 -
-
HTA8681內置自適應升壓和防破音功能的11W D類及AB類音頻功率放大器
HTA8681是一款內置自適應升壓的單聲道D類音 頻 功 率 放 大 器 ， 由 鋰 電 池 供 電 時 ，THD+N=10%、1kHz信號條件下，能連續輸出11W功率（3Ω負載）；另外，其還支持AB類模式。 HTA8681內置的升壓，提供8.5V最大輸出電壓。其小音樂信號時不升壓，僅當功率較大時，提供升壓后的電壓給D類功放，其可大幅提高系統效率，延長電池續航時間。 HTA8681的最大特點是防削頂失真（ACF）輸出控制功能，可檢測并抑制由于輸入音樂、語音信號幅度過大所引起的輸出信號削頂失真（破音），也能自適應地防止在BOOST升壓電壓下降所造成的輸出削頂，顯著提高音質，創造非常舒適的聽音享受，并保護揚聲器免受過載損壞。HTA8681還提供ACF-Off 模式。 -
NS2162 單節鋰電池充電管理芯片
NS2162 是一款降壓轉換單節鋰電池充電管理芯片，具有充電狀態指示和溫度檢測等多重功能。能夠夠為便攜式鋰電池充電提供完整的解決方案。芯片轉換器工作頻率為 1MHz，能夠支持低成本的電感和電容并有效的減小 PCB 尺寸，降低方案的成本。 NS2162 采用涓流/恒流/恒壓三段式充電模式且支持 0V 電池充電激活。充電時輸入電流最大可以達到2.1A，輸入還內置 有 4.6VIN_DPM 閾值，以最大程度上提高芯片的可靠性和方案的安全性。 NS2162 采用 ESOP8 的標準封裝。
