12月1日，邁為股份（300751.SZ）在投資者互動平臺回答提問時表示，目前公司高選擇比刻蝕設備及混合鍵合設備等可用于DRAM（高帶寬存儲器HBM）工藝。公司稱，相關設備能夠覆蓋部分先進存儲制程需求，為客戶在高性能存儲領域的擴產與技術迭代提供裝備支持。

根據公司披露，邁為股份的刻蝕和薄膜沉積設備已廣泛應用于存儲芯片、邏輯芯片制造等領域，在多類晶圓制造產線上實現批量導入和穩定運行。此次特別提及可服務于DRAM及HBM工藝的高選擇比刻蝕和混合鍵合設備，進一步體現公司在半導體前道關鍵工藝裝備上的產品覆蓋能力。

高帶寬存儲器HBM作為面向高性能計算、AI訓練等場景的關鍵存儲產品，對工藝精度、層間互連和良率控制提出了更高要求。刻蝕與混合鍵合等環節設備性能，將直接影響堆疊結構的一致性與信號傳輸效率，相關設備進入HBM供應鏈，有望提升本土半導體設備廠商在存儲升級周期中的參與度。

從更廣業務布局看，邁為股份在半導體裝備領域持續投入，在刻蝕、薄膜沉積等環節形成一定產品組合和客戶基礎，并通過與晶圓廠合作不斷優化工藝適配性和量產穩定性。公司在互動平臺強調，將繼續圍繞存儲與邏輯芯片客戶需求完善產品線布局，抓住先進制程和新型存儲器發展的窗口期。

分析人士指出，國內半導體設備企業切入DRAM及HBM工藝環節，有望受益于存儲技術升級與國產替代趨勢，但訂單釋放節奏仍受下游資本開支周期、驗證周期長短以及國際競爭格局等因素影響。邁為股份相關設備的后續放量情況，仍需觀察客戶認證進展及行業景氣度變化，投資者應在關注技術突破的同時，理性評估市場與業績的不確定性風險。

（校對/秋賢）