近日消息，三星在其第九代V9 QLC NAND閃存技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)上遭遇重大挫折，因產(chǎn)品被曝存在“根本性設(shè)計缺陷”，公司已決定推遲該產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)計劃。這一變故不僅暴露了三星在高端存儲技術(shù)上的瓶頸，也可能對其在NAND閃存市場的領(lǐng)先地位構(gòu)成嚴峻挑戰(zhàn)。

三星原計劃在其第九代V9 QLC NAND閃存技術(shù)上實現(xiàn)技術(shù)飛躍。該產(chǎn)品采用了先進的280層堆疊工藝，旨在進一步提升存儲密度、降低成本并優(yōu)化性能，以應(yīng)對AI時代對海量數(shù)據(jù)存儲的迫切需求。

然而，首批試產(chǎn)的V9 QLC芯片未能達到預(yù)期性能標準，暴露出嚴重的設(shè)計問題。這一“根本性缺陷”迫使三星不得不重新評估和調(diào)整其生產(chǎn)節(jié)奏。目前預(yù)計，V9 QLC的大規(guī)模量產(chǎn)時間將推遲至2026年上半年，比原計劃大幅延后。

目前，在市場份額上，三星依然保持著領(lǐng)先地位。數(shù)據(jù)顯示，2025年第二季度，三星以32.9%的市場份額穩(wěn)居全球NAND閃存市場第一，其相關(guān)業(yè)務(wù)營收環(huán)比增長近24%，達到52億美元。然而，亮眼的市場份額背后，是其存儲業(yè)務(wù)部門（DS部門）經(jīng)營利潤的急劇下滑。該季度，DS部門的經(jīng)營利潤同比大幅減少94%，僅為0.4萬億韓元，這是近六個季度以來首次跌破萬億韓元大關(guān)，反映出其盈利能力正面臨巨大壓力。

此次QLC技術(shù)的延期，暴露出三星在激烈市場競爭中的被動局面。在三星陷入技術(shù)瓶頸的同時，其競爭對手卻在快速追趕甚至實現(xiàn)超越。日本存儲廠商Kioxia（鎧俠）已成功推出332層V10級NAND閃存，在堆疊層數(shù)上領(lǐng)先于三星的280層技術(shù)。而韓國另一大存儲巨頭SK hynix也在QLC領(lǐng)域取得突破，成功實現(xiàn)了321層2TB QLC NAND的量產(chǎn)。

相比之下，三星最新的高端QLC產(chǎn)品仍停留在上一代V7階段，甚至未能推出V8版本的QLC產(chǎn)品，在技術(shù)迭代速度上明顯落后。

QLC（Quad-Level Cell）閃存因其在單位成本上的顯著優(yōu)勢，成為存儲海量“冷數(shù)據(jù)”的首選方案，尤其在AI服務(wù)器、云計算和大數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域需求激增。隨著AI技術(shù)的蓬勃發(fā)展，市場對高密度、低成本存儲的需求持續(xù)擴大。然而，三星QLC量產(chǎn)的推遲，可能導(dǎo)致其錯失這一關(guān)鍵市場機遇。有市場預(yù)測指出，到2026年，三星在QLC市場的份額可能僅占9%，遠低于其主要競爭對手，這將嚴重削弱其在下一代存儲技術(shù)格局中的話語權(quán)。

責(zé)編：Jimmy.zhang