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多顆二極管并聯(lián)或串聯(lián)時(shí),電流/電壓均分是否均衡?

2025-09-18 來(lái)源: 作者:深圳辰達(dá)半導(dǎo)體有限公司
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關(guān)鍵詞: 高頻電路設(shè)計(jì) 半導(dǎo)體器件 結(jié)電容 信號(hào)完整性 低結(jié)電容二極管 辰達(dá)半導(dǎo)體

在高頻電路設(shè)計(jì)中,半導(dǎo)體器件的寄生參數(shù)往往比靜態(tài)指標(biāo)更為關(guān)鍵。高壓二極管或開關(guān)二極管在 datasheet 中,通常會(huì)標(biāo)注一個(gè) 結(jié)電容(Cj) 參數(shù)。很多客戶在初期選型時(shí)容易忽略它,只關(guān)注耐壓、正向電流和反向恢復(fù)時(shí)間。但在實(shí)際的高頻應(yīng)用中,結(jié)電容卻可能直接決定電路的速度和信號(hào)完整性。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體 在本文將結(jié)合物理機(jī)理和應(yīng)用案例,從 FAE 角度進(jìn)行分析。

一、結(jié)電容的本質(zhì)

結(jié)電容來(lái)源于二極管 PN 結(jié)的耗盡層。當(dāng)二極管處于反向偏置時(shí),PN 結(jié)相當(dāng)于一個(gè)電容器,其電容值與偏置電壓、摻雜濃度和結(jié)面積相關(guān)。公式大致為:

Cj ≈ ε × A / W

其中,A 為結(jié)面積,W 為耗盡層寬度。電壓越高,耗盡層越寬,電容越小。因此,結(jié)電容通常是一個(gè)與電壓相關(guān)的非線性參數(shù)。


二、結(jié)電容對(duì)高頻電路速度的影響

限制開關(guān)速度

在高頻電源或脈沖電路中,器件需要快速?gòu)膶?dǎo)通切換到截止。此時(shí)結(jié)電容必須充放電,每一次切換都會(huì)消耗額外能量,并延緩電壓上升/下降時(shí)間。結(jié)電容越大,電路速度越慢。

增加開關(guān)損耗

高頻應(yīng)用(如數(shù)百 kHz ~ MHz 的開關(guān)電源)中,結(jié)電容充放電損耗不可忽略。功耗大致與 Cj × V2 × f 成正比。當(dāng)頻率和電壓都較高時(shí),這部分損耗可能接近導(dǎo)通損耗。

引入過(guò)沖與振蕩

在高速電路中,結(jié)電容與 PCB 走線寄生電感共同形成 LC 諧振,可能導(dǎo)致過(guò)沖、振鈴,甚至 EMI 問(wèn)題,嚴(yán)重時(shí)會(huì)影響電路穩(wěn)定性。


三、結(jié)電容對(duì)信號(hào)完整性的影響

高頻信號(hào)失真

對(duì)于射頻(RF)、高速數(shù)字接口等電路,信號(hào)上升沿往往在納秒級(jí)。如果二極管結(jié)電容過(guò)大,就會(huì)像一個(gè)低通濾波器,導(dǎo)致信號(hào)邊沿變緩、波形失真。

阻抗匹配破壞

在傳輸線上,結(jié)電容相當(dāng)于一個(gè)額外負(fù)載,會(huì)改變局部阻抗。如果不做匹配處理,容易產(chǎn)生反射,影響信號(hào)完整性。

串?dāng)_與耦合

當(dāng)多個(gè)高速信號(hào)通道并排布線時(shí),結(jié)電容過(guò)大的器件會(huì)增加耦合效應(yīng),導(dǎo)致通道間的串?dāng)_問(wèn)題。


四、如何降低結(jié)電容的不利影響?

選型優(yōu)化

高頻場(chǎng)景優(yōu)先選擇 低結(jié)電容二極管(如小信號(hào)開關(guān)二極管、肖特基二極管、專用 ESD 保護(hù)二極管)。

在高速信號(hào)鏈路中,應(yīng)盡量使用結(jié)電容 <1 pF 的器件。

電路補(bǔ)償

在某些場(chǎng)景中,可以通過(guò)串聯(lián)電阻或 RC 網(wǎng)絡(luò)來(lái)抑制結(jié)電容引起的振鈴。

對(duì)于信號(hào)完整性要求較高的線路,可采用匹配電阻。

PCB 布局優(yōu)化

縮短高頻走線,降低寄生電感,避免與結(jié)電容形成強(qiáng)耦合。

保護(hù)器件盡量靠近接口,減少走線長(zhǎng)度引發(fā)的附加電容。

頻率與電壓權(quán)衡

在實(shí)際設(shè)計(jì)中,器件選型往往需要在耐壓與結(jié)電容之間平衡。通常,耐壓越高,結(jié)電容也越大,這需要根據(jù)電路的電壓等級(jí)和頻率進(jìn)行綜合判斷。


五、FAE 視角下的總結(jié)

從 FAE 的經(jīng)驗(yàn)來(lái)看,很多客戶遇到“高頻不穩(wěn)定、波形失真或 EMI 超標(biāo)”時(shí),往往第一時(shí)間懷疑控制芯片或布局問(wèn)題,而忽略了二極管本身的結(jié)電容效應(yīng)。事實(shí)上,結(jié)電容過(guò)大不僅限制電路速度,還可能破壞信號(hào)完整性。

因此,在高頻設(shè)計(jì)中,不能只看二極管的耐壓和電流參數(shù),還必須結(jié)合結(jié)電容指標(biāo)進(jìn)行綜合評(píng)估。如果器件的結(jié)電容已經(jīng)成為瓶頸,F(xiàn)AE 的建議通常是:換用低結(jié)電容型號(hào),優(yōu)化布局,或在系統(tǒng)級(jí)增加補(bǔ)償設(shè)計(jì)。唯有同時(shí)兼顧電氣與熱、信號(hào)完整性,才能確保高頻應(yīng)用下的電路可靠穩(wěn)定。




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