引言：新規(guī)驅動下的技術升級

2025年8月實施了充電寶新國標，其核心指標包括額定輸出容量大于90%，這個變化提高了電源轉換效率要求，把原本的隱性需求轉變成了硬性要求。合科泰半導體基于自主研發(fā)的SGT工藝平臺，推出了HKTQ65N03、HKTG50N03等明星產品，通過技術突破實現(xiàn)能效提升，助力客戶輕松應對新規(guī)挑戰(zhàn)。

SGT工藝：低損耗的核心密碼

合科泰SGT工藝采用0.18μm溝槽刻蝕技術，在30V耐壓等級實現(xiàn)3.8mΩ的導通電阻，關鍵突破點包括：

1. 三維柵極結構

• 溝槽深度達1.2μm，溝道密度提升至1.2e12 cm?2

• 引入屏蔽柵極降低柵漏電容Cgd，開關損耗減少35%

• 8nm超薄柵氧層（擊穿場強10MV/cm），柵極電荷Qg=18nC@10V

2. 封裝熱管理

• PDFN3333封裝采用0.8mm厚銅漏極焊盤，熱阻RθJA=60℃/W

• 雙面散熱設計支持20A持續(xù)電流，結溫控制在125℃以內

3. 可靠性強化

• -55℃~150℃全溫域參數漂移小于等于5%

• 1000次溫度循環(huán)測試后，導通電阻變化率小于3%

合科泰SGT MOSFET在同步整流中的應用示例

核心產品與場景化應用

1. HKTQ65N03：VBUS協(xié)議開關的理想選擇

• 參數：30V/65A，RDS(ON)=3.8mΩ@VGS=10V，PDFN3333封裝

• 應用：USB PD協(xié)議VBUS路徑控制

• 優(yōu)勢：30V耐壓滿足20V輸出的電壓余量要求；3.8mΩ導通電阻在5V/2A場景下?lián)p耗僅72mW；支持1MHz開關頻率，適配PD3.1 EPR標準

2. HKTG50N03：同步整流的能效標桿

參數：30V/50A，RDS(ON)=6.8mΩ@VGS=10V，PDFN5x6封裝

應用：20W-65W快充次級同步整流

優(yōu)勢：SGT工藝實現(xiàn)6.8mΩ超低導通電阻；反向恢復時間Trr=25ns，高頻特性優(yōu)異；5x6mm封裝支持雙面散熱，持續(xù)電流達50A

3. HKTD50N06：BMS保護開關的可靠之選

參數：60V/50A，RDS(ON)=13.5mΩ@VGS=10V，TO-252封裝

應用：鋰電池放電保護開關

優(yōu)勢：60V耐壓適配多串電池組；13.5mΩ平衡損耗與成本；通過10mJ雪崩能量測試

選型指南與設計建議

1. 功率分級選型

• 10W以下：HKTQ30N03（30V/30A/5.3mΩ）

• 10W-30W：HKTG50N03（同步整流）+ HKTQ65N03（VBUS開關）

• 30W以上：HKTD50N06（BMS保護）+ HKTG50N03（同步整流）

2. layout設計要點

• VBUS路徑采用2oz銅厚，寬度≥2mm

• MOSFET漏極焊盤面積≥4mm2

• 柵極串聯(lián)10Ω電阻抑制震蕩

• 
  

結語：以技術創(chuàng)新應對能效挑戰(zhàn)

合科泰SGT工藝MOSFET通過低導通電阻、高頻開關特性和優(yōu)異散熱設計，為充電寶廠商提供從協(xié)議控制到能量轉換的全鏈路解決方案。HKTQ65N03與HKTG50N03等MOS管助力通過新規(guī)能效測試，輸出容量達標率提升至95%以上。如需獲取技術支持，可聯(lián)系合科泰FAE團隊。

公司介紹

合科泰成立于1992年,是一家集研發(fā)、設計、生產、銷售一體化的專業(yè)元器件高新技術及專精特新企業(yè)。專注提供高性價比的元器件供應與定制服務，滿足企業(yè)研發(fā)需求。

• 產品供應品類：覆蓋半導體封裝材料、電阻/電容/電感等被動元件；以及MOSFET、TVS、肖特基、穩(wěn)壓管、快恢復、橋堆、二極管、三極管及功率器件，電源管理IC及其他，一站式配齊研發(fā)與生產所需。

• 兩大智能生產制造中心：華南和西南制造中心（惠州7.5萬㎡+南充3.5萬㎡）配備共3000多臺先進設備及檢測儀器；2024年新增3家半導體材料子公司，從源頭把控產能與交付效率。

• 提供封裝測試OEM代工：支持樣品定制與小批量試產，配合100多項專利技術與ISO9001、IATF16949認證體系，讓“品質優(yōu)先”貫穿從研發(fā)到交付的每一環(huán)。

合科泰在始終以“客戶至上、創(chuàng)新驅動”為核心，為企業(yè)提供穩(wěn)定可靠的元件。

（附：樣品申請/方案咨詢/小批量采購↓）

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