4月20日，SK海力士官網宣布，其已在全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3DRAM新產品，容量較上一代HBM3DRAM提升50%，已向客戶提供樣品，正在接受客戶公司的性能驗證，將在上半年內完成量產準備，以“加強尖端DRAM市場主導權”。

SK 海力士表示：“繼去年 6 月率先量產業(yè)界首款 HBM3 之后，公司又成功開發(fā)出了內存容量比前一代產品增加 50% 的 24GB 封裝產品。我們將在下半年向市場供應新產品，以滿足由 AI 聊天機器人行業(yè)帶動的高端內存產品的需求。”

公司技術團隊在此次此新產品采用了先進（Advanced）MR-MUF3和TSV4技術。SK海力士表示，通過先進MR-MUF技術加強了工藝效率和產品性能的穩(wěn)定性，又利用TSV技術將12個比現有芯片薄40%的單品DRAM芯片垂直堆疊，實現了與16GB產品相同的高度。

HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開發(fā)出來的一種內存，由于它在實現運行在高性能計算（HPC）系統中的生成型 AI 中起著至關重要的作用，因此受到了內存芯片行業(yè)的廣泛關注。最新的 HBM3 標準尤其被認為是快速處理大量數據的理想產品，因此其被全球主要科技公司采用的情況越來越多。

目前，SK 海力士已經向多個對最新產品表達了極大期待的客戶提供了 24GB HBM3 產品的樣品，同時該產品的性能評估也在進行中。“SK 海力士之所以能夠不斷開發(fā)出一系列超高速和高容量的 HBM 產品，是因為它在后端工藝中運用了領先的技術，”SK 海力士封裝測試部門負責人洪相厚說，“公司計劃在今年上半年完成新產品的量產準備工作，以進一步鞏固其在 AI 時代尖端 DRAM 市場中的領導地位。”